Vishay最新推出高性能60 V TrenchFET 第四代 N沟道功率MOSFET

Vishay最新推出高性能60 V TrenchFET 第四代 N沟道功率MOSFET

SiR626DP改进了技术规格，经过调校最大限度降低导通和开关损耗。器件提高了AC/DC拓扑结构同步整流，隔离式DC/DC拓扑结构原边和副边开关效率，适用于太阳能微型逆变器和通信、服务器、医疗设备电源

　　SiR626DP改进了技术规格，经过调校最大限度降低导通和开关损耗。器件提高了AC/DC拓扑结构同步整流，隔离式DC/DC拓扑结构原边和副边开关效率，适用于太阳能微型逆变器和通信、服务器、医疗设备电源、电动工具和IRISO工业设备电机驱动控制、电池管理模块的电池切换。

　　MOSFET经过100% RG和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。

　　SiR626DP现可提供样品并已实现量产。产品供货周期为30周，视市场情况而定。

（本新闻更新于2026/11/14）

您可能也感兴趣的新闻头条：

电子元器件型号搜索排行榜：

代理现货渠道快速响应您的采购需求

电子元器件特色品牌（每日更新一次）：品牌按字母分类：A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | #