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UnitedSiC品牌LOGO
类别:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
规格:SICFET N-CH 650V 18A 4DFN
器件封装:4-DFN(8x8)
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UF3SC065040D8S 基本参数:
  • 制造商产品型号:UF3SC065040D8S
  • 制造商:UnitedSiC
  • 描述:SICFET N-CH 650V 18A 4DFN
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 通道
  • 技术:SiCFET(共源共栅 SiCJFET)
  • 漏源电压(Vdss):650V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):18A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):12V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):58毫欧 @ 20A,12V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):6V @ 10mA
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):43nC @ 12V
  • Vgs(最大值):±25V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1500pF @ 100V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):125W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:4-DFN(8x8)
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