SSM3J35CT,L3F
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SSM3J35CT,L3F
制造:
东芝半导体(Toshiba Memory Corporation,铠侠Kioxia)
类别:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
规格:
MOSFET P-CHANNEL 20V 100MA CST3
封装:CST3
SSM3J35CT,L3F技术资料下载
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SSM3J35CT,L3F 基本参数:
型号:SSM3J35CT,L3F
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体,现已更名为Kioxia铠侠)
封装:CST3
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:MOSFET P-CHANNEL 20V 100MA CST3
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
FET 类型:P 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.2V,4V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):8 欧姆 @ 50mA,4V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
Vgs(最大值):±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):12.2 pF @ 3 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):100mW(Ta)
工作温度:150°C
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:CST3
封装/外壳:SC-101,SOT-883
SSM3J35CT,L3F
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74VHC221AFT
74VHCT04AFT(BJ)
SSM3J35CT,L3F
TLP292-4(LGB,E
TLP352(F)
RN1115,LF(CT
TCR3DG30,LF
RN1969FE(TE85L,F)
TC78B002FNG,EL
TLP705A(F)
TCR15AG09,LF
CEZ30V,H3F
TLP781F(D4GRT7FD,F
TLP5752(D4,E
RN4989,LXHF(CT
TLP632(F)
SSM6K407TU,LF
2SC2235-Y(T6KMATFM
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