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东芝半导体（Toshiba Memory Corporation，铠侠Kioxia）
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RN1969FE(TE85L,F)
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东芝半导体（铠侠Kioxia）品牌LOGO
制造：东芝半导体（Toshiba Memory Corporation，铠侠Kioxia）
类别：晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置
规格：TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
封装：SOT-563，SOT-666
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RN1969FE(TE85L,F) 基本参数：
  • 制造商产品型号：RN1969FE(TE85L,F)
  • 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor，现已更名为Kioxia铠侠）
  • 描述：TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
  • 系列：晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置
  • 零件状态：停产
  • 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA
  • 电压-集射极击穿（最大值）：50V
  • 电阻器-基极(R1)：47 千欧
  • 电阻器-发射极(R2)：22 千欧
  • 不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)（最小值）：70 @ 10mA，5V
  • 不同Ib、Ic时Vce饱和压降（最大值）：300mV @ 250A，5mA
  • 电流-集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
  • 频率-跃迁：250MHz
  • 功率-最大值：100mW
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：SOT-563，SOT-666
  • RN1969FE(TE85L,F)现货供应，确保您在缺货时期也能找到稳定货源。
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