TSM60NE048PW C0G
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TSM60NE048PW C0G
TSM60NE048PW C0G
制造:
TSC公司 (Taiwan Semiconductor, 台湾半导体)
类别:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
规格:
MOSFET
封装:TO-247
TSM60NE048PW C0G技术资料下载
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TSM60NE048PW C0G 基本参数:
型号:TSM60NE048PW C0G
品牌:Taiwan Semiconductor Corporation (TSC,台湾半导体)
封装:TO-247
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:MOSFET
系列:-
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):61A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V,12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):44 毫欧 @ 20A,12V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):6V @ 4.6mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):114 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):5023 pF @ 300 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):431W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-247
封装/外壳:TO-247-3
TSM60NE048PW C0G
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