FCB199N65S3（ON）|买IC网-电子元器件代理
技术参数详情：
制造商产品型号：FCB199N65S3制造商：ON Semiconductor描述：MOSFET N-CH 650V 14A D2PAK系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：SuperFET? III零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：650V25°C时电流-连续漏极(Id)：14A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：199 毫欧 @ 7A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 1.4mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：30nC @ 10VVgs（最大值）：±30V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1225pF @ 400VFET功能：-功率耗散（最大值）：98W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：D2PAK（TO-263）买IC网自营直供，FCB199N65S3均从电子元器件代理商采购，确保原装正品！
FCB199N65S3（制造商：ON），技术规格MOSFET N-CH 650V 14A D2PAK 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
