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NVMFD5C680NLET1G
制造:
ON公司(ONsemi,安森美)
类别:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
规格:
T6 60V LL S08FL DS
封装:8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)
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NVMFD5C680NLET1G 基本参数:
型号:NVMFD5C680NLET1G
品牌:onsemi (ON,安森美)
封装:8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
描述:T6 60V LL S08FL DS
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
技术:MOSFET(金属氧化物)
配置:2 个 N 沟道
FET 功能:-
漏源电压(Vdss):60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.4A (Ta), 20A (Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):28 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 13A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):2nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):350pF @ 25V
功率 - 最大值:3.2W(Ta),24W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-PowerTDFN
供应商器件封装:8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)
NVMFD5C680NLET1G
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品质有保证的IC元器件
NVMFD5C680NLET1G货源均来自ON(ONsemi,安森美)代理商,当前价格:1:$1.54000|1500:$0.40918,承诺进口原装,当天发货。
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