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IS61WV10248EEBLL-10B2LI-TR
制造:
ISSI公司(Integrated Silicon Solution, Inc.,芯成半导体)
类别:
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
规格:
IC SRAM 8MBIT PAR
封装:48-TFBGA(6x8)
IS61WV10248EEBLL-10B2LI-TR技术资料下载
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IS61WV10248EEBLL-10B2LI-TR 基本参数:
型号:IS61WV10248EEBLL-10B2LI-TR
品牌:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc (ISSI,芯成半导体)
封装:48-TFBGA(6x8)
类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
描述:IC SRAM 8MBIT PAR
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
南皇电子 可编程:-
存储器类型:易失
存储器格式:SRAM
技术:SRAM - 异步
存储容量:8Mb
存储器组织:1M x 8
存储器接口:并联
时钟频率:-
写周期时间 - 字,页:10ns
访问时间:10 ns
电压 - 供电:2.4V ~ 3.6V
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:48-TFBGA
供应商器件封装:48-TFBGA(6x8)
IS61WV10248EEBLL-10B2LI-TR
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