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ISSI公司（Integrated Silicon Solution, Inc.，芯成半导体）
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IS43LQ16256A-062TBLI
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ISSI（芯成半导体）品牌LOGO
制造：ISSI公司（Integrated Silicon Solution, Inc.，芯成半导体）
类别：集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
规格：IC DRAM 4GBIT LVSTL 200TFBGA
封装:200-TFBGA（10x14.5）
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IS43LQ16256A-062TBLI 基本参数：
  • 型号:IS43LQ16256A-062TBLI
  • 品牌:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc (ISSI,芯成半导体)
  • 封装:200-TFBGA（10x14.5）
  • 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 4GBIT LVSTL 200TFBGA
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:4Gb
  • 存储器组织:256M x 16
  • 存储器接口:LVSTL
  • 时钟频率:1.6 GHz
  • 写周期时间 - 字，页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.06V ~ 1.17V，1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:200-TFBGA
  • 供应商器件封装:200-TFBGA（10x14.5）
  • IS43LQ16256A-062TBLI现货供应，确保您在缺货时期也能找到稳定货源。
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