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AUIRF7379Q(IR)|买IC网-电子元器件代理
图片信息
AUIRF7379Q图片
基本资料:
  • 零件型号:AUIRF7379Q
  • 制造厂商:IR
  • 技术规格:MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC
  • 功能类别:场效应管阵列
  • 点击此处下载AUIRF7379Q的原厂技术规格书(PDF文件)
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  • 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:AUIRF7379Q
  • 制造厂家名称:IR(International Rectifier)已被英飞凌INFINEON收购
  • 描述:MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC
  • 系列:HEXFET
  • FET 类型:N 和 P 沟道
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):5.8A,4.3A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):45 毫欧 @ 5.8A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):25nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):520pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:2.5W
  • 安装类型:表面贴装
  • 产品封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SO
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  • AUIRF7379Q(制造商:IR),技术规格MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC 场效应管阵列
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