IRF7353D1TR
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IRF7353D1TR
制造:
IR公司(International Rectifier,英飞凌INFINEON)
类别:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
规格:
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
封装:8-SO
IRF7353D1TR技术资料下载
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IRF7353D1TR 基本参数:
型号:IRF7353D1TR
品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
封装:8-SO
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
包装:卷带(TR)
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):32 毫欧 @ 5.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):33 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):650 pF @ 25 V
FET 功能:肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值):2W(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:8-SO
封装/外壳:8-SOIC(0.154
IRF7353D1TR
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