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可变电阻式随机存取存储器(ReRAM)

ReRAM: 可变电阻式随机存取存储器

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ReRAM是一种非易失性存储器,通过向金属氧化物薄膜施加脉冲电压,产生大的电阻差值来存储“0”和“1”。

其结构非常简单,两侧电极将金属氧化物包夹于中间,这简化了制造工艺,同时可实现低功耗和高速重写等卓越性能。

此存储器具备行业最低读取电流,非常适用于可穿戴设备和助听器。

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● SPI 接口:[新品]4 Mbit ReRAM "MB85AS4MFuture DesignsT"

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