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ReRAM: 可变电阻式随机存取存储器ReRAM是一种非易失性存储器，通过向金属氧化物薄膜施加脉冲电压，产生大的电阻差值来存储“0”和“1”。其结构非常简单，两侧电极将金属氧化物包夹于中间，这简化了制
ReRAM: 可变电阻式随机存取存储器
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ReRAM是一种非易失性存储器，通过向金属氧化物薄膜施加脉冲电压，产生大的电阻差值来存储“0”和“1”。
其结构非常简单，两侧电极将金属氧化物包夹于中间，这简化了制造工艺，同时可实现低功耗和高速重写等卓越性能。
此存储器具备行业最低读取电流,非常适用于可穿戴设备和助听器。
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（本新闻更新于2026/11/14）
