东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，其“U-MOS X-H系列”产品线新增采用其最新一代工艺制造而成的80V N沟道功率MOSFET--- TPH2R408QM和TPN19008QM。新款MOSFET适用于数据中心和通信基站所用的工业设备的开关电源。

买IC网 - 电子元器件代理与采购 | IC交易网 -TI 买IC就找买IC网

U-MOS X-H系列产品示意图

新增产品包括采用表面贴装SOP Advance封装的“TPH2R408QM”以及采用TSON Advance封装的“TPN19008QM”。产品于今日开始出货。

由于采用了其最新一代的工艺制造技术，与当前U-MOS Ⅷ-H系列中的80V产品相比，新款80V U-MOS X-H产品的漏源导通电阻降低了大约40%。通过优化器件结构，漏源导通电阻与栅极电荷特性[1]之间的平衡也得到了进一步的改善[2]。因此，新产品可提供业界最低[3]功耗。

东芝正在扩展其降耗型产品线，从而为降低设备功耗提供帮助。

应用：

● 开关电源（高效AC-DC转换器、DC-DC转换器等）

● 电机控制设备（电机驱动等）

特性：

● 业界最低[3]功耗（通过改善导通电阻与栅极电荷特性[2]之间的平衡）

● 业界最低[3]导通电阻：

RDS(ON)=2.43mΩ（最大值）＠VGS=10V（TPH2R40QM）

RDS(ON)=19mΩ（最大值）＠VGS=10V（TPN19008QM）

● 高额定通道温度：Tch=175℃

主要规格：

（除非另有说明，@Ta＝25℃）

器件型号
TPH2R408QM
TPN19008QM

绝对最大

额定值

漏源电压VDSS（V）
80

漏极电流

（DC）ID（A）

@Tc=25℃
120
34

通道温度

T_ch（℃）

175
电气特性

漏源导通电阻 RDS(ON)

最大值（mΩ）

@V_GS=10V
2.43
19
@V_GS=6V
3.5
28
典型值

总栅极电荷（栅源+栅漏）

Qg典型值（nC）

87
16

栅极开关电荷

Q_sw（nC）

28
5.5

输出电荷

Q_oss（nC）

90
16.5

输入电容

C_iss（pF）

5870
1020
封装
名称
Advance
SOP
TSON
尺寸典型值（mm）
5.0×6.0
3.3×3.3