东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出两款面向车载48V电气系统应用的新型100V N沟道功率MOSFET。该系列包括具备低导通电阻的“XPH4R10ANB”-其漏极电流为70A，以及“XPH6R30ANB”-其漏极电流为45A。批量生产和出货计划于今天开始。

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注释

[1]截至2019年12月25日。

[2]在同样规格的产MaxBotix品中，截至2019年12月25日。东芝调查。