SUD19P06-60-BE3（Vishay）|买IC网-电子元器件代理
技术参数详情：
制造商产品型号：SUD19P06-60-BE3制造商：Vishay Siliconix描述：MOSFET P-CH 60V 18.3A DPAK系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：TrenchFET?零件状态：有源FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：60V25°C时电流-连续漏极(Id)：18.3A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：60 毫欧 @ 10A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：40nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1710pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：2.3W（Ta），38.5W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：D-PAK（TO-252AA）买IC网自营直供，SUD19P06-60-BE3均从电子元器件代理商采购，确保原装正品！
SUD19P06-60-BE3（制造商：Vishay），技术规格MOSFET P-CH 60V 18.3A DPAK 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
