SIR180DP-T1-RE3（Vishay）|买IC网-电子元器件代理
技术参数详情：
制造商产品型号：SIR180DP-T1-RE3制造商：Vishay Siliconix描述：MOSFET N-CH 60V 32.4A/60A PPAK系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：TrenchFET? Gen IV零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：60V25°C时电流-连续漏极(Id)：32.4A（Ta），60A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：7.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.05 毫欧 @ 10A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.6V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：87nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：4030pF @ 30VFET功能：-功率耗散（最大值）：5.4W（Ta），83.3W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：PowerPAK? SO-8买IC网自营直供，SIR180DP-T1-RE3均从电子元器件代理商采购，确保原装正品！
SIR180DP-T1-RE3（制造商：Vishay），技术规格MOSFET N-CH 60V 32.4A/60A PPAK 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
