SIHB33N60E-GE3（Vishay）|买IC网-电子元器件代理
技术参数详情：
制造商产品型号：SIHB33N60E-GE3制造商：Vishay Siliconix描述：MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：600V25°C时电流-连续漏极(Id)：33A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：99 毫欧 @ 16.5A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：150nC @ 10VVgs（最大值）：±30V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3508pF @ 100VFET功能：-功率耗散（最大值）：278W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：D2PAK买IC网自营直供，SIHB33N60E-GE3均从电子元器件代理商采购，确保原装正品！
SIHB33N60E-GE3（制造商：Vishay），技术规格MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
