SI7703EDN-T1-GE3（Vishay）|买IC网-电子元器件代理
技术参数详情：
制造商产品型号：SI7703EDN-T1-GE3制造商：Vishay Siliconix描述：MOSFET P-CH 20V 4.3A PPAK1212-8系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：TrenchFET?零件状态：停产FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：20V25°C时电流-连续漏极(Id)：4.3A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：48 毫欧 @ 6.3A，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 800μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：18nC @ 4.5VVgs（最大值）：±12V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-FET功能：肖特基二极管（隔离式）功率耗散（最大值）：1.3W（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：PowerPAK? 1212-8买IC网自营直供，SI7703EDN-T1-GE3均从电子元器件代理商采购，确保原装正品！
SI7703EDN-T1-GE3（制造商：Vishay），技术规格MOSFET P-CH 20V 4.3A PPAK1212-8 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
