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图片信息

基本资料：

零件型号：SI5980DU-T1-GE3

制造厂商：Vishay

技术规格：MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET

功能类别：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

点击此处下载SI5980DU-T1-GE3的原厂技术规格书（PDF文件）

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技术参数详情：

制造商产品型号：SI5980DU-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

产品系列：*

零件状态：停产

FET类型：2 N-通道（双）

FET功能：标准

漏源电压（Vdss）：100V

25°C时电流-连续漏极(Id)：2.5A

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：567 毫欧 @ 400mA，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：3.3nC @ 10V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：78pF @ 50V

功率-最大值：7.8W

工作温度：-

安装类型：表面贴装型

封装：PowerPAK? CHIPFET? 双

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