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SI5511DC-T1-GE3(Vishay)|买IC网-电子元器件代理
图片信息
SI5511DC-T1-GE3图片
基本资料:
  • 零件型号:SI5511DC-T1-GE3
  • 制造厂商:Vishay
  • 技术规格:MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
  • 功能类别:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 点击此处下载SI5511DC-T1-GE3的原厂技术规格书(PDF文件)
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  • 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:SI5511DC-T1-GE3
  • 制造商:Vishay Siliconix
  • 描述:MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 产品系列:TrenchFET?
  • 零件状态:停产
  • FET类型:N 和 P 沟道
  • FET功能:逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):4A,3.6A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):55 毫欧 @ 4.8A,4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):7.1nC @ 5V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):435pF @ 15V
  • 功率-最大值:3.1W,2.6W
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:8-SMD,扁平引线
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