FQD13N10LTM
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FQD13N10LTM
FQD13N10LTM
制造：
UMW公司
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
规格：
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
封装:-
FQD13N10LTM技术资料下载
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FQD13N10LTM 基本参数：
型号:FQD13N10LTM
品牌:UMW (UMW)
封装:-
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
系列:*
包装:剪切带（CT）
产品状态:在售
FET 类型:-
技术:-
漏源电压（Vdss）:-
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
Vgs（最大值）:-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:-
工作温度:-
等级:-
资质:-
安装类型:-
供应商器件封装:-
封装/外壳:-
FQD13N10LTM
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BTA12-600BRG
PSM712-LF-T7
UMWIRFR3910TR
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SI2317A
SN74LVC1G17DBVR
UMWIRF7241TR
LM158DR
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