TK30E06N1,S1X（Toshiba）|买IC网-电子元器件代理
技术参数详情：
制造商产品型号：TK30E06N1,S1X制造商：Toshiba Semiconductor and Storage描述：MOSFET N-CH 60V 43A TO220系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：U-MOSVIII-H零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：60V25°C时电流-连续漏极(Id)：43A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：15 毫欧 @ 15A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 200μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：16nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1050pF @ 30VFET功能：-功率耗散（最大值）：53W（Tc）工作温度：150°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：TO-220买IC网自营直供，TK30E06N1,S1X均从电子元器件代理商采购，确保原装正品！
TK30E06N1,S1X（制造商：Toshiba），技术规格MOSFET N-CH 60V 43A TO220 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
