RN1910(T5L,F,T)
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RN1910(T5L,F,T)
RN1910(T5L,F,T)
制造:
东芝半导体(Toshiba Memory Corporation,铠侠Kioxia)
类别:
阵列预偏压式晶体管
规格:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
US6
RN1910(T5L,F,T)技术资料下载
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RN1910(T5L,F,T) 基本参数:
东芝半导体公司完整型号:RN1910(T5L,F,T)
制造商:东芝半导体(Toshiba Semiconductor,现已更名为Kioxia铠侠)
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
系列:-
晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底 (R1) (Ω):4.7k
电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω):-
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):120 @ 1mA,5V
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250A,5mA
电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
频率 - 跃迁:250MHz
功率 - 最大值:100mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:US6
RN1910(T5L,F,T)
现货供应,确保您在缺货时期也能找到稳定货源。
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CEZ30V,H3F
RN1107,LXHF(CT
2SA1761,T6F(J
TLP5752(D4,E
RN1910(T5L,F,T)
TLP621M(D4GRF5,E
TC7SZ04F,LJ(CT
TLP705A(F)
74VHCT04AFT(BJ)
RN1115,LF(CT
TLP785(D4B-F6,F
TLP700AF(F)
TCR3DG30,LF
TCR15AG09,LF
TLP632(F)
TLP292-4(LGB,E
74VHC221AFT
SSM6K407TU,LF
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