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TSC公司 (Taiwan Semiconductor, 台湾半导体)
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TSM60NB190CI C0G
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TSC (Taiwan Semiconductor, 台湾半导体)品牌LOGO
制造：TSC公司 (Taiwan Semiconductor, 台湾半导体)
类别：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
规格：MOSFET N-CH 600V 18A ITO220AB
封装:ITO-220AB
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TSM60NB190CI C0G 基本参数：
  • 型号:TSM60NB190CI C0G
  • 品牌:Taiwan Semiconductor Corporation (TSC,台湾半导体)
  • 封装:ITO-220AB
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 600V 18A ITO220AB
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 6A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）:±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1273 pF @ 100 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:33.8W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:ITO-220AB
  • 封装/外壳:TO-220-3 全封装，隔离接片
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