TSM210NH08LDCR RLG
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TSM210NH08LDCR RLG
制造:
TSC公司 (Taiwan Semiconductor, 台湾半导体)
类别:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
规格:
80A, 33V, N AND N-CHANNEL DUAL M
封装:8-PDFNU(4.9x5.75)
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TSM210NH08LDCR RLG 基本参数:
型号:TSM210NH08LDCR RLG
品牌:Taiwan Semiconductor Corporation (TSC,台湾半导体)
封装:8-PDFNU(4.9x5.75)
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
描述:80A, 33V, N AND N-CHANNEL DUAL M
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
技术:MOSFET(金属氧化物)
配置:2 N-通道(双)
FET 功能:-
漏源电压(Vdss):80V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.2A(Ta),33A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):21 毫欧 @ 16.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):11nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):639pF @ 40V
功率 - 最大值:48W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:表面贴装,可润湿侧翼
封装/外壳:8-PowerTDFN
供应商器件封装:8-PDFNU(4.9x5.75)
TSM210NH08LDCR RLG
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