TSM200N03DPQ33 RGG
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TSM200N03DPQ33 RGG
制造:
TSC公司 (Taiwan Semiconductor, 台湾半导体)
类别:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
规格:
MOSFET 2N-CH 30V 20A 8PDFN
封装:8-PDFN(3x3)
TSM200N03DPQ33 RGG技术资料下载
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TSM200N03DPQ33 RGG 基本参数:
型号:TSM200N03DPQ33 RGG
品牌:Taiwan Semiconductor Corporation (TSC,台湾半导体)
封装:8-PDFN(3x3)
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
描述:MOSFET 2N-CH 30V 20A 8PDFN
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
技术:MOSFET(金属氧化物)
配置:2 N-通道(双)
FET 功能:-
漏源电压(Vdss):30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):20 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):4nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):345pF @ 25V
功率 - 最大值:20W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-PowerWDFN
供应商器件封装:8-PDFN(3x3)
TSM200N03DPQ33 RGG
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