TSM170NH10LCR RLG
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TSM170NH10LCR RLG
制造:
TSC公司 (Taiwan Semiconductor, 台湾半导体)
类别:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
规格:
100A, 50V, SINGLE, N-CHANNEL LOW
封装:8-PDFNU(4.9x5.75)
TSM170NH10LCR RLG技术资料下载
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TSM170NH10LCR RLG 基本参数:
型号:TSM170NH10LCR RLG
品牌:Taiwan Semiconductor Corporation (TSC,台湾半导体)
封装:8-PDFNU(4.9x5.75)
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:100A, 50V, SINGLE, N-CHANNEL LOW
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A(Ta),50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):17 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):17 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):936 pF @ 60 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):97W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:表面贴装,可润湿侧翼
供应商器件封装:8-PDFNU(4.9x5.75)
封装/外壳:8-PowerTDFN
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