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TSC公司 (Taiwan Semiconductor, 台湾半导体)
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TSM150P03PQ33 RGG
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TSC (Taiwan Semiconductor, 台湾半导体)品牌LOGO
制造：TSC公司 (Taiwan Semiconductor, 台湾半导体)
类别：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
规格：MOSFET P-CH 30V 36A 8PDFN
封装:8-PDFN（3.1x3.1）
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TSM150P03PQ33 RGG 基本参数：
  • 型号:TSM150P03PQ33 RGG
  • 品牌:Taiwan Semiconductor Corporation (TSC,台湾半导体)
  • 封装:8-PDFN（3.1x3.1）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:MOSFET P-CH 30V 36A 8PDFN
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):36A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 10A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29.3 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）:±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1829 pF @ 15 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:27.8W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:8-PDFN（3.1x3.1）
  • 封装/外壳:8-PowerWDFN
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