TSG65N195CE RVG
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TSG65N195CE RVG
TSG65N195CE RVG
制造:
TSC公司 (Taiwan Semiconductor, 台湾半导体)
类别:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
规格:
650V, 11A, PDFN88, E-MODE GAN TR
封装:-
TSG65N195CE RVG技术资料下载
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TSG65N195CE RVG 基本参数:
型号:TSG65N195CE RVG
品牌:Taiwan Semiconductor Corporation (TSC,台湾半导体)
封装:-
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:650V, 11A, PDFN88, E-MODE GAN TR
系列:*
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
FET 类型:-
技术:-
漏源电压(Vdss):-
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
Vgs(最大值):-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):-
FET 功能:-
功率耗散(最大值):-
工作温度:-
等级:-
资质:-
安装类型:-
供应商器件封装:-
封装/外壳:-
TSG65N195CE RVG
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