K3RG4G40MM-MGCJ（Samsung）|买IC网-电子元器件代理

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K3RG4G40MM-MGCJ（Samsung）|买IC网-电子元器件代理

图片信息

基本资料：

零件型号：K3RG4G40MM-MGCJ

制造厂商：Samsung

技术规格：SAMSUNG DRAM NAND

功能类别：低功耗双倍数据率同步动态随机存储器

现货为主，快速报价，尽全力满足客户从研发到批量生产的所有采购需求！

技术参数详情：

三星芯片型号：K3RG4G40MM-MGCJ

制造商：SAMSUNG（三星半导体）

功能类别：低功耗双倍数据率同步动态随机存储器

容量：24Gb

架构：x64

速率：3733 Mbps

工作电压：1.8 / 1.1 / 1.1 V

工作温度：-25 ~ 85 °C

封装：366FBGA

产品状态：批量生产

买IC网自营直供，K3RG4G40MM-MGCJ均从电子元器件代理商采购，确保原装正品！

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