S2M0160120I
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S2M0160120I
S2M0160120I
制造：
SMC公司 (SMC Diode Solutions)
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
规格：
SILICON CARBIDE MOSFET, 160MOHM,
封装:TO-220MF-3L
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S2M0160120I 基本参数：
型号:S2M0160120I
品牌:SMC Diode Solutions (SMC)
封装:TO-220MF-3L
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:SILICON CARBIDE MOSFET, 160MOHM,
系列:-
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）:1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:196 毫欧 @ 10A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26.5 nC @ 20 V
Vgs（最大值）:+20V，-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:513 pF @ 1000 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:62W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220MF-3L
封装/外壳:TO-220-3 整包
S2M0160120I
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