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S2M0040120J-1
制造:
SMC公司 (SMC Diode Solutions)
类别:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
规格:
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
封装:TO-263-7
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S2M0040120J-1 基本参数:
型号:S2M0040120J-1
品牌:SMC Diode Solutions (SMC)
封装:TO-263-7
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss):1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):55A(Tj)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):52 毫欧 @ 40A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):92.1 nC @ 20 V
Vgs(最大值):+20V,-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1904 pF @ 1000 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):348W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:TO-263-7
封装/外壳:TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
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