S2M0025120N
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S2M0025120N
S2M0025120N
制造：
SMC公司 (SMC Diode Solutions)
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
规格：
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
封装:SOT-227
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S2M0025120N 基本参数：
型号:S2M0025120N
品牌:SMC Diode Solutions (SMC)
封装:SOT-227
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
系列:-
包装:散装
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）:1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):104A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:34 毫欧 @ 50A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 15mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:165 nC @ 20 V
Vgs（最大值）:+20V，-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4054 pF @ 1000 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:535W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:底座安装
供应商器件封装:SOT-227
封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC
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