近日,作为设计和生产创新性半导体材料的全球领军企业,法国Soitec半导体公司宣布与应用材料公司启动联合项目,展开对新一代碳化硅衬底的研发。以碳化硅为衬底的芯片需求持续上涨,该趋势在电动汽车、通信及工
AY1系列电容器容量从470 pF到4700 pF,公差为± 20 %。器件由镀铜陶瓷盘与直径0.6 mm或0.8 mm镀锡铜包钢线组成,直引线间距10 mm或12.5 mm。器件符合RoHS和Vis