NP100P04PDG-E1-AY（Renesas）|买IC网-电子元器件代理
技术参数详情：
制造商产品型号：NP100P04PDG-E1-AY制造商：Renesas Electronics America Inc描述：MOSFET P-CH 40V 100A TO263系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：40V25°C时电流-连续漏极(Id)：100A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.5 毫欧 @ 50A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：320nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：15100pF @ 10VFET功能：-功率耗散（最大值）：1.8W（Ta），200W（Tc）工作温度：175°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：TO-263买IC网自营直供，NP100P04PDG-E1-AY均从电子元器件代理商采购，确保原装正品！
NP100P04PDG-E1-AY（制造商：Renesas），技术规格MOSFET P-CH 40V 100A TO263 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
