RQ3E120ATTB（ROHM）|买IC网-电子元器件代理
技术参数详情：
制造商产品型号：RQ3E120ATTB制造商：Rohm Semiconductor描述：MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：12A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：8 毫欧 @ 12A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：62nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3200pF @ 15VFET功能：-功率耗散（最大值）：2W（Ta）工作温度：150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：8-HSMT（3.2x3）买IC网自营直供，RQ3E120ATTB均从电子元器件代理商采购，确保原装正品！
RQ3E120ATTB（制造商：ROHM），技术规格MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
