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PJD60N04_L2_00001
制造:
PANJIT公司 (Panjit International Inc., 强茂)
类别:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
规格:
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
封装:TO-252AA
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PJD60N04_L2_00001 基本参数:
型号:PJD60N04_L2_00001
品牌:Panjit International Inc. (Panjit)
封装:TO-252AA
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12.7A(Ta),60A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):6.5 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):17 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1759 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):2W(Ta),62W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:TO-252AA
封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
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P6SMBJ54CA_R1_00001
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PG5400_R2_00001
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品质有保证的IC元器件
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