FQD2N80TM（ON）|买IC网-电子元器件代理
技术参数详情：
制造商产品型号：FQD2N80TM制造商：ON Semiconductor描述：MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：QFET?零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：800V25°C时电流-连续漏极(Id)：1.8A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6.3 欧姆 @ 900mA，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：15nC @ 10VVgs（最大值）：±30V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：550pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），50W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：D-Pak买IC网自营直供，FQD2N80TM均从电子元器件代理商采购，确保原装正品！
FQD2N80TM（制造商：ON），技术规格MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
