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NT9000HDAE4S-ES
制造:
Nisshinbo公司 (日清纺)
类别:
分立半导体产品 > 二极管 > 射频
规格:
DIODE FOR 1W CLASS RECTIFIER
封装:DFN1212-4-HD
NT9000HDAE4S-ES技术资料下载
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NT9000HDAE4S-ES 基本参数:
型号:NT9000HDAE4S-ES
品牌:Nisshinbo Micro Devices Inc. (Nisshinbo,日清纺微电子,NJR/JRC)
封装:DFN1212-4-HD
类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
描述:DIODE FOR 1W CLASS RECTIFIER
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
二极管类型:反并联
电压 - 峰值反向(最大值):20V
电流 - 最大值:300 mA
不同Vr、F 时电容:0.2pF @ 2V,100MHz
不同If、F 时电阻:-
功率耗散(最大值):920 mW
工作温度:150°C(TJ)
等级:-
资质:-
封装/外壳:4-XFDFN 焊盘
供应商器件封装:DFN1212-4-HD
NT9000HDAE4S-ES
现货供应,确保您在缺货时期也能找到稳定货源。
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R1116N151D-TR-FE
R3112D281C-TR-FE
NJM2781RB1-TE1
NJG1648HB6-TE1
NJM79L12UA-TE1
RP102K321D-TR
RP173N331A-TR-FE
R5109G271C-TR-FE
RD5RW20CA-TR-FE
R1225N302A-TR-FE
RP112N251D-TR-FE
NJM2135D
R3118Q352C-TR-FE
NJM78M05DL1ATE1
R3116Q261A-TR-FE
R3117Q152A-TR-FE
R3119N077A-TR-FE
NJM2374AD
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