PSB2123330KHSD
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PSB2123330KHSD
PSB2123330KHSD
制造:
Nichicon公司 (尼吉康)
类别:
电容器 > 薄膜电容器
规格:
CAP FILM 0.33UF 10% 1.2KVDC RAD
封装:
PSB2123330KHSD技术资料下载
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PSB2123330KHSD 基本参数:
型号:PSB2123330KHSD
品牌:Nichicon公司 (尼吉康)
封装:
类目:电容器 > 薄膜电容器
描述:CAP FILM 0.33UF 10% 1.2KVDC RAD
包装:散装
产品状态:在售
电容:0.33 F
容差:±10%
额定电压 - AC:630V
额定电压 - DC:1200V(1.2kV)
介电材料:聚丙烯(PP),金属化
ESR(等效串联电阻):3.6 mOhms
工作温度:-40°C ~ 85°C
安装类型:通孔
封装/外壳:径向 - 4 引线
大小 / 尺寸:1.260 长 x 0.709 宽(32.00mm x 18.00mm)
高度 - 安装(最大值):1.299(33.00mm)
端接:PC 引脚
引线间距:1.083(27.50mm)
应用:高频,开关;高脉冲,DV/DT;吸收电路
等级:-
特性:-
PSB2123330KHSD
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UVK2E221MHD
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UVZ2W010MPD1TA
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