TO252MDD4N65DS
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TO252MDD4N65DS
TO252MDD4N65DS
制造：
NextGen公司 (NextGen Components)
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
规格：
MOSFET TO-252 N 650V 4A
封装:-
TO252MDD4N65DS技术资料下载
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TO252MDD4N65DS 基本参数：
型号:TO252MDD4N65DS
品牌:NextGen Components (NextGen)
封装:-
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET TO-252 N 650V 4A
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.8 欧姆 @ 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:-
工作温度:-
等级:-
资质:-
安装类型:-
供应商器件封装:-
封装/外壳:-
TO252MDD4N65DS
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YG48M00000S430
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XY25M00000S418
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