碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000

　　碳化硅MOSFET技术带来的高效性可为诸多要求严格的应用提供多重优势，包括电动和混动汽车、数据中心及辅助电源。 相比同类的Si IGBT，LSIC1MO170E1000碳化硅MOSFET可带来一系列系统级优化机会，包括提高效率、增加功率密度、降低冷却要求以及降低系统级成本的可能性。

　　此外，相比市面上其他业内领先的碳化硅MOSFET器件，Littelfuse碳化硅MOSFET可在各方面提供同等或更优越的性能。 碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000的典型应用包括：

　　 太阳能逆变器

　　 开关模式和不间断电源

　　 电机驱动器

　　 高压DC/DC转换器

　　 感应加热

　　“此产品可改善现有应用，并且Littelfuse应用支持网络可促进新的设计方案。”Littelfuse半导体事业部电源半导体全球产品营销经理Michael Ketterer表示。 “碳化硅MOSFET可为基于硅的传统功率晶体管器件提供富有价值的替代选择。 相比同类IGBT，MOSFET器件结构可减少每个EPCOS周期的开关损耗并提高轻载效率。 固有的材料特性让碳化硅MOSFET能够在阻断电压、特定导通电阻和结电容方面优于硅MOSFET。”

　　新推出的1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET采用TO-247-3L封装，具有以下关键优势：

　　 专为高频、高效应用优化

　　 极低栅极电荷和输出电容

　　 低栅极电阻，适用于高频开关

　　供货情况

　　LSIC1MO170E1000碳化硅MOSFET采用450只装TO-247-3L管式封装。 您可通过全球各地的Littelfuse授权经销商索取样品。

（本新闻更新于2026/11/14）