该器件集成了DC/DC降压转换器，可为11V的门极电压提供100mA的驱动和其他负载驱动。内部3.3V控制单元能够为微控制器提供高达20mA的电流。可以驱动外部高压高功率晶体管以实现更高的负载需要。

　　其中器件的特性还包括综合诊断和保护功能。两个错误输出显示任何过电流，低电压和过高的温升。QFN的底板金属焊盘封装结构使其具有出色的传热性能，使芯片最高工作结温甚至可以达到极限的170°C。

　　特性：

　　 B6-NMOS桥的门极驱动电路;

　　 供电电压范围12V至72V(低至7V，峰值至76V);

　　 内置11V/100mA的 DC/DC转换器;

　　 3.3V的微处理器提供高达20mA电流，可通过外部升压晶体管提供更高的负载电流;

　　 JST200mA门极驱动电流，包括保护功能;

　　 集成反电动势检测;

　　 峰值结温=+150℃;

　　典型的应用：

（本新闻更新于2026/11/14）