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图片信息

基本资料：

零件型号：BUK9C1R3-40EJ

制造厂商：NXP

技术规格：MOSFET N-CH 40V 190A D2PAK-7

功能类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

点击此处下载BUK9C1R3-40EJ的原厂技术规格书（PDF文件）

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技术参数详情：

制造商产品型号：BUK9C1R3-40EJ

制造商：NXP USA Inc.

描述：MOSFET N-CH 40V 190A D2PAK-7

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：-

零件状态：有源

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：40V

25°C时电流-连续漏极(Id)：190A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.3 毫欧 @ 90A，5V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：-

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-

Vgs（最大值）：-

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-

FET功能：-

功率耗散（最大值）：-

工作温度：-

安装类型：表面贴装型

器件封装：D2PAK-7

买IC网自营直供，BUK9C1R3-40EJ均从电子元器件代理商采购，确保原装正品！

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BUK9C1R3-40EJ（制造商：NXP），技术规格MOSFET N-CH 40V 190A D2PAK-7 晶体管 - FET，MOSFET - 单个

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