BLS6G2735L-30,112
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BLS6G2735L-30,112
BLS6G2735L-30,112
制造:
NXP公司(NXP Semiconductors,恩智浦半导体)
类别:
RF场效应管
规格:
TRANS S-BAND PWR ACC-2 SOT1135
CDFM2
BLS6G2735L-30,112技术资料下载
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BLS6G2735L-30,112 基本参数:
NXP恩智浦完整型号:BLS6G2735L-30,112
制造商:NXP(恩智浦半导体)
描述:TRANS S-BAND PWR ACC-2 SOT1135
系列:-
晶体管类型:LDMOS
频率:2.7GHz ~ 3.5GHz
增益:13dB
电压 - 测试:32V
额定电流:-
噪声系数:-
电流 - 测试:50mA
功率 - 输出:30W
电压 - 额定:60V
封装/外壳:SOT-1135A
供应商器件封装:CDFM2
BLS6G2735L-30,112
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BAP1321-04,215
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