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    APT45GR65SSCD10（Microsemi）|买IC网-电子元器件代理
    图片信息
    APT45GR65SSCD10图片
    基本资料：
  • 零件型号：APT45GR65SSCD10
  • 制造厂商：Microsemi
  • 技术规格：INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
  • 功能类别：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 点击此处下载APT45GR65SSCD10的原厂技术规格书（PDF文件）
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    • 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：APT45GR65SSCD10
  • 制造商：Microsemi Corporation
  • 描述：INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • IGBT类型：NPT
  • 电压-集射极击穿（最大值）：650V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：118A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：224A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，45A
  • 功率-最大值：543W
  • 开关能量：-
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：203nC
  • 25°C时Td（开/关）值：15ns/100ns
  • 测试条件：433V，45A，4.3 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：80ns
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
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