IV2Q12160T4Z
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IV2Q12160T4Z
IV2Q12160T4Z
制造:
Inventchip公司 (瞻芯电子)
类别:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
规格:
GEN2, SIC MOSFET, 1200V 160MOHM,
封装:TO-247-4
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IV2Q12160T4Z 基本参数:
型号:IV2Q12160T4Z
品牌:Inventchip公司 (瞻芯电子)
封装:TO-247-4
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:GEN2, SIC MOSFET, 1200V 160MOHM,
系列:-
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss):1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):208 毫欧 @ 5A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 2mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):29 nC @ 18 V
Vgs(最大值):+20V,-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):580 pF @ 800 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):136W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-247-4
封装/外壳:TO-247-4
IV2Q12160T4Z
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