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IGN1011L70

制造：Integra公司（Integra Technologies）

类别：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET

规格：RF MOSFET GAN HEMT 50V PL32A2

封装:PL32A2

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IGN1011L70 基本参数：

型号:IGN1011L70
品牌:Integra Technologies Inc. (Integra)
封装:PL32A2
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
描述:RF MOSFET GAN HEMT 50V PL32A2
系列:-
包装:散装
产品状态:在售
技术:GaN HEMT
配置:-
频率:1.03GHz ~ 1.09GHz
增益:22dB
电压 - 测试:50 V
额定电流（安培）:-
噪声系数:-
电流 - 测试:22 mA
功率 - 输出:80W
电压 - 额定:120 V
等级:-
资质:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:PL32A2
供应商器件封装:PL32A2
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