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IQD016N08NM5CGSCATMA1
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Infineon（英飞凌）品牌LOGO
制造：Infineon公司（英飞凌）
类别：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
规格：OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
封装:PG-WHTFN-9-U02
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IQD016N08NM5CGSCATMA1 基本参数：
  • 型号:IQD016N08NM5CGSCATMA1
  • 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
  • 封装:PG-WHTFN-9-U02
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:80 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):31A（Ta），323A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.57 毫欧 @ 50A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.8V @ 159A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:133 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）:±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:9200 pF @ 40 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:3W（Ta），333W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:PG-WHTFN-9-U02
  • 封装/外壳:9-PowerWDFN
  • IQD016N08NM5CGSCATMA1现货供应，确保您在缺货时期也能找到稳定货源。
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